用瞬态电容谱法研究GaAs1-xPxLED深能级及其对发光的影响

高瑛; 苏锡安; 李殿学; 胡恺生

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用瞬态电容谱法研究GaAs_1-xP_xLED深能级及其对发光的影响

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 用瞬态电容谱法研究GaAs_1-xP_xLED深能级及其对发光的影响
- MEASUREMENT OF THE DEEP LEVEL IN GaAs_1-xP_xLEDs USING DLTS AND INVESTIGATION OF THEIR EFFECT ON LUMINOUS EFFICIENCY
- 发光学报 1984年5卷第2期页码：31-38
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1984-05-30
- 稿件说明：
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高瑛, 苏锡安, 李殿学, 胡恺生. 用瞬态电容谱法研究GaAs1-xPxLED深能级及其对发光的影响[J]. 发光学报, 1984,5(2): 31-38

Gao Ying, Su Xian, Li Dianxue, Hu Kaisheng. MEASUREMENT OF THE DEEP LEVEL IN GaAs1-xPxLEDs USING DLTS AND INVESTIGATION OF THEIR EFFECT ON LUMINOUS EFFICIENCY[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(2): 31-38
高瑛, 苏锡安, 李殿学, 胡恺生. 用瞬态电容谱法研究GaAs1-xPxLED深能级及其对发光的影响[J]. 发光学报, 1984,5(2): 31-38 DOI：

Gao Ying, Su Xian, Li Dianxue, Hu Kaisheng. MEASUREMENT OF THE DEEP LEVEL IN GaAs1-xPxLEDs USING DLTS AND INVESTIGATION OF THEIR EFFECT ON LUMINOUS EFFICIENCY[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(2): 31-38 DOI：

摘要

本文利用瞬态电容潜(DLTS)法测量了不同效率的GaA

LED的深能级浓度、深度、俘获截面.发现效率高LED仅有一个明显的电子深能级△

=0.15eV和一个很弱的△

=0.33eV电子深能级

它们的俘获截面都小于1.5

#215;10

-14

总的能级浓度小

约为1.4

#215;10

-3

.效率差的两只LED一般除有两个以上的电子能级还有两个空穴能级

它们的俘获截面甚至大到2.2

#215;10

-12

和1.3

#215;10

-13

;从DLTS图还可以发现谱峰高而宽

说明杂质浓度大

总浓度分别为6.3

#215;10

-3

和3.4

#215;10

-3

.讨论了深能级对发光效率的影响.

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