光电容法研究电子辐照GaP中的深能级

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光电容法研究电子辐照GaP中的深能级

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 光电容法研究电子辐照GaP中的深能级
- STUDIES ON DEEP LEVELS IN ELECTRON-IRRADIATED GaP BY PHOTOCAPACITANCE METHOD
- 发光学报 1984年5卷第2期页码：18-30
- 作者机构：
  
  厦门大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1984-05-30
- 稿件说明：
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吴耀塘, 周必忠, 黄启圣. 光电容法研究电子辐照GaP中的深能级[J]. 发光学报, 1984,5(2): 18-30

Wu Yaotang, Zhou Bizhong, Huang Qisheng. STUDIES ON DEEP LEVELS IN ELECTRON-IRRADIATED GaP BY PHOTOCAPACITANCE METHOD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(2): 18-30
吴耀塘, 周必忠, 黄启圣. 光电容法研究电子辐照GaP中的深能级[J]. 发光学报, 1984,5(2): 18-30 DOI：

Wu Yaotang, Zhou Bizhong, Huang Qisheng. STUDIES ON DEEP LEVELS IN ELECTRON-IRRADIATED GaP BY PHOTOCAPACITANCE METHOD[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(2): 18-30 DOI：

本文提出含多个深能级响应的光电容瞬态分析方法:在不考虑各能级之间电子、空穴跃迁的条件下

可出“多指数过程分离法”

将总的瞬态过程分离为各能级上指数型瞬态过程之和.运用这一方法

对lMeV(4

#215;10

-2

电子辐照GaP LED进行了定态和两种注入条件的瞬态光电容测量

观察到

、

三个空穴能级(0.51、0.75、1.15eV)和

、

四个电予能级(0.68、0.84、0.89、1.01eV)

并得到各能级的光离化截面谱.外量子效率及发射谱测量结果表明;电子辐照引入的深能级(

)表现出无辐射复合中心的性质.

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