GD a-Si:H主光致发光带的时间分辨研究

您当前的位置：

首页 >

文章列表页 >

论文 | 更新时间：2020-08-11

- GD a-Si:H主光致发光带的时间分辨研究
- A TIME-RESOLVED STUDY OF THE MAIN PHOTOLUMINESCENT BAND OF GD a-Si:H
- 发光学报 1984年5卷第1期页码：1-10
- 作者机构：
  
  中国科学院半导体研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1983-08-25，
  
  纸质出版：1984-02-29
- 稿件说明：
移动端阅览
陈廷杰, 徐俊英, 许继宗, 庄蔚华, 廖显伯. GD a-Si:H主光致发光带的时间分辨研究[J]. 发光学报, 1984,5(1): 1-10

Chen Ting-jie, Xu Jun-ying, Xu Ji-zong, Zhuang Wei-hua, Liao Xian-bo. A TIME-RESOLVED STUDY OF THE MAIN PHOTOLUMINESCENT BAND OF GD a-Si:H[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(1): 1-10
陈廷杰, 徐俊英, 许继宗, 庄蔚华, 廖显伯. GD a-Si:H主光致发光带的时间分辨研究[J]. 发光学报, 1984,5(1): 1-10 DOI：

Chen Ting-jie, Xu Jun-ying, Xu Ji-zong, Zhuang Wei-hua, Liao Xian-bo. A TIME-RESOLVED STUDY OF THE MAIN PHOTOLUMINESCENT BAND OF GD a-Si:H[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(1): 1-10 DOI：

本文研究了低温淀积(例如T:

lt;150℃)的GD a-Si:H在77K的时间分辨光致发光谱和荧光衰退。光致发光谱显示非对称形

荧光衰退显示出最初的快衰退

较长时间后为慢衰退。在快衰退范围内可用两个时间常数逐点分析时间分辨光谱

把主发光带分解为两个近似高斯形的发光带

对于Ts=127℃的薄膜

两发光带峰值位置在

=0时分别为1.73和1.58eV。快衰退两带的时间常数分别为10和23ns。文中还初步讨论了这两个发光带的起因。

浏览量

247

下载量

CSCD

文章被引用时，请邮件提醒。

提交

工具集

关联资源

镧系金属有机框架材料在防伪中的应用

NaYF4∶Yb,Tm@CsPbBr3异质结构制备与发光性能

可见光波段激光器线宽压缩技术研究进展

强共价低声子能量稀土硫化物：破解Cr3+短波红外发光效率与稳定性难题

电感耦合等离子体辅助及H2/N2气氛调控对非晶Ga2O3薄膜发光特性的影响