InP衬底上GaInAsSb的液相外延生长及其性质的研究

龚秀英; K. S. Lö; chner; P. Zwicknagl; E. Bauser

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InP衬底上GaInAsSb的液相外延生长及其性质的研究

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- InP衬底上GaInAsSb的液相外延生长及其性质的研究
- LPE GROWTH AND PROPERTIES OF Ga_xIn_1-xAs_1-ySb_y ON InP
- 发光学报 1987年8卷第3期页码：206-215
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院半导体研究所
  2. 马普固体研究所西德
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1986-10-06，
  
  纸质出版：1987-08-30
- 稿件说明：
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龚秀英, K. S. Löchner, P. Zwicknagl, E. Bauser. InP衬底上GaInAsSb的液相外延生长及其性质的研究[J]. 发光学报, 1987,8(3): 206-215

Gong Xiuying, K. S. Löchner, P. Zwicknagl, E. Bauser. LPE GROWTH AND PROPERTIES OF GaxIn1-xAs1-ySby ON InP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(3): 206-215
龚秀英, K. S. Löchner, P. Zwicknagl, E. Bauser. InP衬底上GaInAsSb的液相外延生长及其性质的研究[J]. 发光学报, 1987,8(3): 206-215 DOI：

Gong Xiuying, K. S. Löchner, P. Zwicknagl, E. Bauser. LPE GROWTH AND PROPERTIES OF GaxIn1-xAs1-ySby ON InP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(3): 206-215 DOI：

摘要

用内插法和电负性差法估算了GaInAsSb的晶格常数

并用液相外延法在665℃—625℃的温度范围内第一次成功地生长了品格匹配于(100)和(111)B取向的InP衬底的GaInAsSb外延层。测得固体组分的范围为0.46

lt;x

lt;0.51

0.02

lt;y

lt;0.045。主荧光峰为1.34—1.63μm。在n～(10

—10

-3

的范围内

对于(100)GaInAsSb

300k

=8410cm

#183;s—12

200cm

#183;s。

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InP衬底上GaInAsSb的液相外延生长及其性质的研究

LPE GROWTH AND PROPERTIES OF GaxIn1-xAs1-ySby ON InP

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LPE GROWTH AND PROPERTIES OF Ga_xIn_1-xAs_1-ySb_y ON InP