GaAs1-xPx中混晶无序与Fe深中心的性质

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GaAs_1-xP_x中混晶无序与Fe深中心的性质

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- GaAs_1-xP_x中混晶无序与Fe深中心的性质
- ALLOY DISORDER AND PROPERTIES OF Fe-CENTER IN GaAs_1-xP_x
- 发光学报 1987年8卷第3期页码：182-191
- 作者机构：
  
  厦门大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  中国科学院科学基金
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1986-10-26，
  
  纸质出版：1987-08-30
- 稿件说明：
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洪蘋, 黄启圣. GaAs1-xPx中混晶无序与Fe深中心的性质[J]. 发光学报, 1987,8(3): 182-191

Hong Pin, Huang Qisheng. ALLOY DISORDER AND PROPERTIES OF Fe-CENTER IN GaAs1-xPx[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(3): 182-191
洪蘋, 黄启圣. GaAs1-xPx中混晶无序与Fe深中心的性质[J]. 发光学报, 1987,8(3): 182-191 DOI：

Hong Pin, Huang Qisheng. ALLOY DISORDER AND PROPERTIES OF Fe-CENTER IN GaAs1-xPx[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(3): 182-191 DOI：

对不同组分的掺FeⅢ-Ⅴ族混晶GaAs

1-x

测量了Fe深受主中心空穴热发射的非指数恒温暗电容瞬态及DLTS谱。用混晶无序使Fe深能级展宽的模型理论拟合实验结果

得到Fe能级Gauss型展宽的半宽和中心能级的热发射率

并确定出基态空穴跃迁的中心能级的焓变与组分的关系:先是减少

而后增大

与由光电容方法得到的Gibbs自由能变量与组分x的关系明显不同。进一步讨论表明

上述两种测量方法得到的Fe中心的激活能不同

可能反映Fe中心的键合状态和混晶无序诱导的品格弛豫的影响。

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