P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响

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电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响
- EFFECT OF THE p-TYPE DOPANT ON THE CHARACTERISTICS OF THE InGaAsP/InP DH LED’ s
- 发光学报 1987年8卷第3期页码：258-265
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1986-05-10，
  
  纸质出版：1987-08-30
- 稿件说明：
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张桂成, 李允平. P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响[J]. 发光学报, 1987,8(3): 258-265

Zhang Guicheng, Li Yunping . EFFECT OF THE p-TYPE DOPANT ON THE CHARACTERISTICS OF THE InGaAsP/InP DH LED’ s[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(3): 258-265
张桂成, 李允平. P型掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响[J]. 发光学报, 1987,8(3): 258-265 DOI：

Zhang Guicheng, Li Yunping . EFFECT OF THE p-TYPE DOPANT ON THE CHARACTERISTICS OF THE InGaAsP/InP DH LED’ s[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(3): 258-265 DOI：

本文研究了限制层中掺杂剂对InGaAsP/InP双异质结发光管特性的影响。结果表明限制层掺In-Zn合金或掺Mg的器件不易发生p-

结偏位

器件具有单一的长波长光谱峰

正常的

I-V

特性以及暗结构出现率低的特性

而限制层掺Zn当浓度≥1

#215;10

-3

时

外延片易发生p-

结偏位

导致器件的异常特性。并观察到在扩散结器件中

在85℃长时间老化过程中

有p-

位置移动现象发生。

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