p-GaAs,p-InP与Cr/Au系界面的互扩散及其电学特性

张桂成; 俞志中; 程宗权; 蒋惠英

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p-GaAs,p-InP与Cr/Au系界面的互扩散及其电学特性

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- p-GaAs,p-InP与Cr/Au系界面的互扩散及其电学特性
- INTERDIFFUSION OF THE p-InP, p-GaAs WITH Cr/Au AT INTERFACE AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
- 发光学报 1987年8卷第2期页码：129-134
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1986-06-30，
  
  纸质出版：1987-05-30
- 稿件说明：
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张桂成, 俞志中, 程宗权, 蒋惠英. p-GaAs,p-InP与Cr/Au系界面的互扩散及其电学特性[J]. 发光学报, 1987,8(2): 129-134

Zhang Guicheng, Cheng Zongquan, Jiang Huiying. INTERDIFFUSION OF THE p-InP, p-GaAs WITH Cr/Au AT INTERFACE AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(2): 129-134
张桂成, 俞志中, 程宗权, 蒋惠英. p-GaAs,p-InP与Cr/Au系界面的互扩散及其电学特性[J]. 发光学报, 1987,8(2): 129-134 DOI：

Zhang Guicheng, Cheng Zongquan, Jiang Huiying. INTERDIFFUSION OF THE p-InP, p-GaAs WITH Cr/Au AT INTERFACE AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(2): 129-134 DOI：

摘要

本文用AES

SEM等方法研究了p-GaAs/Cr/Au和p-InP/Cr/Au体系界面

在热处理过程中的互扩散现象。用SEM观察了热处理后的表面形貌。并给出了合金化温度对比接触电阻(

)的影响。结果表明:对p-GaAs/Cr/Au体系在450℃热处理过程中未发生明显的互扩散

Cr层对Au的内扩散有较好的阻挡作用。该系的

=6～8

#215;10

-5

#183;cm

。在GaAlAs/GaAs DHLED器件中用Cr/Au作p面电极材料

在高电流密度下经5000小时工作后

器件的I-V特性未发生退化

表明该电极的热稳定性好

而p-InP/Cr/Au体系在蒸发和热处理过程中

已有明显的互扩散发生

值也较高

该系不宜作p-InP/InGaAsP发光器件的p面电极材料。

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