双异质结AlxGa1-xAs/GaAs发光管中与氧有关能级的测量

吴征; 周炳林; 张桂成

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双异质结Al_xGa_1-xAs/GaAs发光管中与氧有关能级的测量

与发光有关的实验技术 | 更新时间：2020-08-11

- 双异质结Al_xGa_1-xAs/GaAs发光管中与氧有关能级的测量
- AN ELECTRON TRAP RELATED TO OXYGEN IN Al_xGa_1-xAs/GaAs DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LIGHTE-EMITTING
- 发光学报 1987年8卷第2期页码：135-141
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1986-12-05，
  
  纸质出版：1987-05-30
- 稿件说明：
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吴征, 周炳林, 张桂成. 双异质结AlxGa1-xAs/GaAs发光管中与氧有关能级的测量[J]. 发光学报, 1987,8(2): 135-141

Wu Zheng, Zhou Binglin, Zhang Guicheng. AN ELECTRON TRAP RELATED TO OXYGEN IN AlxGa1-xAs/GaAs DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LIGHTE-EMITTING[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(2): 135-141
吴征, 周炳林, 张桂成. 双异质结AlxGa1-xAs/GaAs发光管中与氧有关能级的测量[J]. 发光学报, 1987,8(2): 135-141 DOI：

Wu Zheng, Zhou Binglin, Zhang Guicheng. AN ELECTRON TRAP RELATED TO OXYGEN IN AlxGa1-xAs/GaAs DOUBLE-HETEROSTRUCTURE LIGHTE-EMITTING[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(2): 135-141 DOI：

摘要

用DLTS和单次脉冲瞬态电容技术研究了液相外延生长的双异质结Al

1-x

As/GaAs发光管

掺Si的n-Al

0.05

0.95

As有源层中的深能级。着重分析了一个与氧有关的电子陷阱

其发射激活能为E

-E

=0.29eV。我们发现该电子陷阱随正向注入脉冲宽度tp的增加DLTS峰向低温移动

即在确定的温度下发射率随tp的增加而增加。用DLTS首次测得该能级的俘获瞬态谱

发现俘获峰随反向撤空脉冲宽度t

的增加向低温端移动

即在确定的温度下俘获率随t

的增加而增加

并且俘获激活能从△

=0.28eV变化到0.26eV

用位形坐标图讨论了引起变化的原因。

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