深能级对GaAs1-xPxLED老化过程的影响

苏锡安; 李晴棉; 孙亚莉

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深能级对GaAs_1-xP_xLED老化过程的影响

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 深能级对GaAs_1-xP_xLED老化过程的影响
- EFFECT OF DEEP LEVEL ON DEGRADATION OF GaAs_1-xP_x LED
- 发光学报 1987年8卷第1期页码：44-50
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1986-07-31，
  
  纸质出版：1987-02-28
- 稿件说明：
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苏锡安, 李晴棉, 孙亚莉. 深能级对GaAs1-xPxLED老化过程的影响[J]. 发光学报, 1987,8(1): 44-50

Su Xian, Li Qingmian, Sun Yali. EFFECT OF DEEP LEVEL ON DEGRADATION OF GaAs1-xPx LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(1): 44-50
苏锡安, 李晴棉, 孙亚莉. 深能级对GaAs1-xPxLED老化过程的影响[J]. 发光学报, 1987,8(1): 44-50 DOI：

Su Xian, Li Qingmian, Sun Yali. EFFECT OF DEEP LEVEL ON DEGRADATION OF GaAs1-xPx LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(1): 44-50 DOI：

摘要

用深能级瞬态谱(DLTS)研究了GaAs

1-x

LED在正向电压

=100mA(

=250A/cm

)大电流下老化750小时左右的过程中深能级浓度、深度、俘获截面的变化。GaAs

1-x

LED中存在三个电子能级:△

=(0.19

#177;0.01)eV;△

=(0.20

#177;0.01)eV;△

=(0.40

#177;0.01)eV。发现老化之后△

与△

的能级密度变小

而△

的能级宽度却有所增大。同时测量了它们的发光光谱、光通

C-V特性和I-V特性。讨论了深能级在GaAs

1-x

LED老化过程中对发光效率与退化特性的影响。认为△

与△

对GaAs

1-x

LED的发光效率与退化特性无影响

而△

是限制GaAs

1-x

LED发光效率和退化特性的有效复合中心。

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