GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究

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电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究
- STUDY OF THE DEGRADATION CHARACTERISTICS FOR GaAs/GaAlAs DH LEDs
- 发光学报 1987年8卷第1期页码：51-56
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1986-03-04，
  
  纸质出版：1987-02-28
- 稿件说明：
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张桂成, 吴冠群. GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究[J]. 发光学报, 1987,8(1): 51-56

Zhang Guicheng, Wu Guanqun. STUDY OF THE DEGRADATION CHARACTERISTICS FOR GaAs/GaAlAs DH LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(1): 51-56
张桂成, 吴冠群. GaAs/GaAlAs双异质结发光管退化特性的研究[J]. 发光学报, 1987,8(1): 51-56 DOI：

Zhang Guicheng, Wu Guanqun. STUDY OF THE DEGRADATION CHARACTERISTICS FOR GaAs/GaAlAs DH LEDs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1987,8(1): 51-56 DOI：

本文研究了GaAs/GaAlAs双异质结发光管的退化特性。有快、慢二种退化类型。器件的慢退化是由于有源区有暗缺陷(DSD)产生和长大

引起光功率下降。文中研究了老化过程中

I-V

特性和

I-P

特性与EL图象的变化规律

并与相同结构的InP/InGaAsP双异质结发光管的退化特性进行了比较

结果表明:它们有着不同的退化机理。

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