EPITAXIAL GROWTH OF ZnSe LAYERS BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (MOCVD)
发光学报1986年7卷第4期 页码:383-392
作者机构:
1. 中国科学院长春物理研究所
2. 英国曼彻斯特大学理工学院化学系
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中图分类号:
收稿:1986-07-10,
纸质出版:1986-11-30
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范广涵, J. I. Davies, J. O. Williams. ZnSe单晶薄膜的MOCVD法生长[J]. 发光学报, 1986,7(4): 383-392
Fan Guanghan, J. I. Davies J. O. Williams. EPITAXIAL GROWTH OF ZnSe LAYERS BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (MOCVD)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(4): 383-392
范广涵, J. I. Davies, J. O. Williams. ZnSe单晶薄膜的MOCVD法生长[J]. 发光学报, 1986,7(4): 383-392DOI:
Fan Guanghan, J. I. Davies J. O. Williams. EPITAXIAL GROWTH OF ZnSe LAYERS BY METAL-ORGANIC CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION (MOCVD)[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(4): 383-392DOI: