镓铝砷双异质结红光二极管中红外辐射起因的研究

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电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 镓铝砷双异质结红光二极管中红外辐射起因的研究
- STUDY OF THE ORIGIN OF INFRARED EMISSION IN GaAlAs DH RED LED's
- 发光学报 1986年7卷第3期页码：275-280
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1986-08-30
- 稿件说明：
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罗宗铁, 杨松林, 杜明. 镓铝砷双异质结红光二极管中红外辐射起因的研究[J]. 发光学报, 1986,7(3): 275-280

Luo Zongtie, Yang Songlin, Du Mingze. STUDY OF THE ORIGIN OF INFRARED EMISSION IN GaAlAs DH RED LED's[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(3): 275-280
罗宗铁, 杨松林, 杜明. 镓铝砷双异质结红光二极管中红外辐射起因的研究[J]. 发光学报, 1986,7(3): 275-280 DOI：

Luo Zongtie, Yang Songlin, Du Mingze. STUDY OF THE ORIGIN OF INFRARED EMISSION IN GaAlAs DH RED LED's[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(3): 275-280 DOI：

本文研究了镓铝砷双异质结红光二极管发射光谱中的红外谱带随工作电流及温度的变化规律

并看到器件的发光效率与红外带的强度有明显的联系.通过红外带峰值位置

半值宽度、峰值位置随温度的移动及发光区深能级的测定

认为该谱带来源于衬底.由于有源区厚度的不均匀及限制作用不充分

使注入到有源区中的一部分电子能穿过限制层进入

型GaAs衬底

从而产生红外谱带.指出改善有源区厚度均匀性

增大限制层的势垒高度是降低红外辐射

提高器件发光效率的有效途径.

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