InP掺杂超晶格的MOCVD生长与表征

元金山; M. Gal; P. C. Tailer; G. B. Stringfe11ow

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InP掺杂超晶格的MOCVD生长与表征

与发光有关的实验技术 | 更新时间：2020-08-11

- InP掺杂超晶格的MOCVD生长与表征
- MOCVD GROWTH AND CHARACTERIZATION OF InP DOPING SUPERLATTICES
- 发光学报 1986年7卷第3期页码：231-237
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 美国犹他大学物理系, 材料科学工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1986-08-30
- 稿件说明：
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元金山, M. Gal, P. C. Tailer, G. B. Stringfe11ow. InP掺杂超晶格的MOCVD生长与表征[J]. 发光学报, 1986,7(3): 231-237

Yuan Jinshan, M. Gal, P. C. Tailer, G. B. Stringfe11ow. MOCVD GROWTH AND CHARACTERIZATION OF InP DOPING SUPERLATTICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(3): 231-237
元金山, M. Gal, P. C. Tailer, G. B. Stringfe11ow. InP掺杂超晶格的MOCVD生长与表征[J]. 发光学报, 1986,7(3): 231-237 DOI：

Yuan Jinshan, M. Gal, P. C. Tailer, G. B. Stringfe11ow. MOCVD GROWTH AND CHARACTERIZATION OF InP DOPING SUPERLATTICES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(3): 231-237 DOI：

摘要

用常压MOCVD技术生长了InP掺杂超晶格

所用源材料为TMIn和PH

.InP的载流子浓度低为8

#215;10

-3

300K迁移率高达5744cm

#183;s.n型掺杂剂是DETe

型为DMZn

两者在InP中的掺杂浓度均可达~10

-3

.用不同激发强度下的低温PL谱

时间衰减

时间分辨PL谱和光反射(PR)谱技术表征了InP掺杂超晶格.文中给出了在不同激发强度下InP掺杂超晶格的4KPL谱

该样品由六层(

#183;

)组成

每层厚度200

#197;

掺杂浓度分别是1

#215;10

-3

和2

#215;10

-3

.发光峰值能量明显低于InP的禁带宽度

当激发强度增加时峰值能量移向高能边

这是真实空间中的间接跃迁特征.总PL信号衰减分成几步

每步都按指数规律

在4K情况下

衰减常数从6

#215;10

-8

秒到7

#215;10

-4

秒

具有明显间接带隙材料特征.InP掺杂超晶格中的量子尺寸效应用PR谱技术进行了研究.为描述InP

nipi

结构中的量子尺寸效应

引进了抛物型势阱模型

实验结果与根据引进模型所进行的计算相符.

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