氮化镓外延单晶中束缚激子辐射复合的偏振特性

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发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- 氮化镓外延单晶中束缚激子辐射复合的偏振特性
- THE POLARIZATION PROPERTIES OF THE RECOMBINATION EMISSION OF BOUND EXCITONS IN EPITAXIAL GaN CRYSTAL
- 发光学报 1986年7卷第2期页码：178-183
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1985-09-27，
  
  纸质出版：1986-05-30
- 稿件说明：
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张凤玲, 鲍庆成, 戴仁崧. 氮化镓外延单晶中束缚激子辐射复合的偏振特性[J]. 发光学报, 1986,7(2): 178-183

Zhang Fengling, Bao Qingcheng, Dai Rensong. THE POLARIZATION PROPERTIES OF THE RECOMBINATION EMISSION OF BOUND EXCITONS IN EPITAXIAL GaN CRYSTAL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(2): 178-183
张凤玲, 鲍庆成, 戴仁崧. 氮化镓外延单晶中束缚激子辐射复合的偏振特性[J]. 发光学报, 1986,7(2): 178-183 DOI：

Zhang Fengling, Bao Qingcheng, Dai Rensong. THE POLARIZATION PROPERTIES OF THE RECOMBINATION EMISSION OF BOUND EXCITONS IN EPITAXIAL GaN CRYSTAL[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1986,7(2): 178-183 DOI：

研究发现

氮化镓外延单晶中束缚于中性施主中心和受主中心上的束缚激子BED

#176;和BEA

#176;的复合发光

具有偏振特性。这种偏振特性

会随激发光的强度发生变化。当激发光的强度在10

W/cm

和10

W/cm

间变化时

偏振度首先以二次方的规律随激发光强的增强而增加

而后超于饱和。本文首先用单轴晶体中介电函数的各向异性解释了荧光固有偏振度的起因

继而采用束缚激子间相互作用的电偶极子模型解释了荧光偏振度随激发光光强的变化规律。

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