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中国科学院半导体研究所
收稿:1986-03-07,
纸质出版:1985-05-30
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葛惟锟, W. K. Ke. n型砷化镓深能级发光的动力学分析[J]. 发光学报, 1985,6(2): 96-109
Ge Weikun, W. K. Ke. A DYNAMIC ANALYSIS OF DEEP LEVEL LUMINESCENCE IN GaAs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(2): 96-109
葛惟锟, W. K. Ke. n型砷化镓深能级发光的动力学分析[J]. 发光学报, 1985,6(2): 96-109 DOI:
Ge Weikun, W. K. Ke. A DYNAMIC ANALYSIS OF DEEP LEVEL LUMINESCENCE IN GaAs[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(2): 96-109 DOI:
本文从实验上研究了n型砷化镓中深能级有关的阴极射线致发光的温度猝灭与激发强度的关系以及阴极射线致发光的瞬态特性。采用两种样品;在n型GaAs衬底上用MOCVD外延的n型GaAs(掺S)的样品和在此基础上800℃扩入放射性Cr
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的样品。用SI阴极光电倍增管接收阴极射线致发光
利用光子计数和延迟符合技术进行测量。以单能级和双能级两种模型分别计算了发光的稳态强度和衰减动力学过程。
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