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中国科学院长春物理研究所
收稿:1984-10-18,
纸质出版:1985-05-30
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王全坤. 硒化锌的气相外延生长[J]. 发光学报, 1985,6(2): 131-136
Wang Quankun. VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH OF ZnSe[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(2): 131-136
王全坤. 硒化锌的气相外延生长[J]. 发光学报, 1985,6(2): 131-136 DOI:
Wang Quankun. VAPOR PHASE EPITAXIAL GROWTH OF ZnSe[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1985,6(2): 131-136 DOI:
采用改进的气相外延法在(100)GaAs衬底上外延生长了ZnSe单晶膜。最大生长速率为每小时10μm左右。淀积过程的激活能为10kcal/mol。在77K的温度下测量了外延膜的光致发光
4460Å附近可以观察到很强的蓝色发射。外延膜的电阻率~1.1Ω·cm。
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