液相外延GaAs/AlGaAs异质结量子限制效应的光致发光现象

袁祐荣; J. L. Merz

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液相外延GaAs/AlGaAs异质结量子限制效应的光致发光现象

光致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 液相外延GaAs/AlGaAs异质结量子限制效应的光致发光现象
- PL PHENOMENA OF LPE GaAs/AlGaAs HETEROJUNCTION WITH GRADE QUANTUM CONFINEMENT
- 发光学报 1984年5卷第3期页码：33-44
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 美国加州圣. 巴巴腊大学电机工程系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1984-04-17，
  
  纸质出版：1984-08-30
- 稿件说明：
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袁祐荣, J. L. Merz. 液相外延GaAs/AlGaAs异质结量子限制效应的光致发光现象[J]. 发光学报, 1984,5(3): 33-44

Yuan Yourong, J. L. Merz. PL PHENOMENA OF LPE GaAs/AlGaAs HETEROJUNCTION WITH GRADE QUANTUM CONFINEMENT[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(3): 33-44
袁祐荣, J. L. Merz. 液相外延GaAs/AlGaAs异质结量子限制效应的光致发光现象[J]. 发光学报, 1984,5(3): 33-44 DOI：

Yuan Yourong, J. L. Merz. PL PHENOMENA OF LPE GaAs/AlGaAs HETEROJUNCTION WITH GRADE QUANTUM CONFINEMENT[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(3): 33-44 DOI：

摘要

在轻掺杂或不掺杂的GaAs/AlGaAs异质结LPE晶体中

在1.4K的温度下发现了一条新的、由于量子限制效应而出现的PL光谱线—H线。处于GaAs PL光谱的激子跃迁和最浅受主(C)跃迁之问的此H线是一条较宽(半宽～9meV)、拖有一长波方向尾的、而且其峰值能量随激发强度的增加而以对数线性方式移向激子线的高能端(移动超过8meV)的光谱线。H线与温度有密切的关系。随着温度的上升

H线移向较低能的受主跃迁边(达到2meV)而且发光强度很快下降

并在约14K处消失。阶梯蚀刻样品的PL实验证明了H线来源于GaAs/AlGaAs异质结的界面。一个异质结界面的能带不连续模型及其存在的类三角势阱的量子限制效应作用较满意地解释了H线的产生及变化的发光现象

实验表明

H线与此势阱限制的束缚载流子有密切的关系。

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