P-Ga(1-x)InxAsyP1-y/InP材料的扩散长度测量

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P-Ga(1-x)In_xAs_yP_1-y/InP材料的扩散长度测量

论文 | 更新时间：2020-08-11

- P-Ga(1-x)In_xAs_yP_1-y/InP材料的扩散长度测量
- MEASUREMENT OF DIFFUSION LENGTH FOR p-GalnAsP GROWN ON InP
- 发光学报 1984年5卷第1期页码：59-63
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1983-03-21，
  
  纸质出版：1984-02-29
- 稿件说明：
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杨林宝, 龚连根, 江玲娣. P-Ga(1-x)InxAsyP1-y/InP材料的扩散长度测量[J]. 发光学报, 1984,5(1): 59-63

Yang Lin-bao, Gong Lian-gen, Jiang Ling-di. MEASUREMENT OF DIFFUSION LENGTH FOR p-GalnAsP GROWN ON InP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(1): 59-63
杨林宝, 龚连根, 江玲娣. P-Ga(1-x)InxAsyP1-y/InP材料的扩散长度测量[J]. 发光学报, 1984,5(1): 59-63 DOI：

Yang Lin-bao, Gong Lian-gen, Jiang Ling-di. MEASUREMENT OF DIFFUSION LENGTH FOR p-GalnAsP GROWN ON InP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1984,5(1): 59-63 DOI：

用激光扫描和电荧光衰减法测定了液相外延片p-Ga

1-x

1-y

/InP(

=0.74

=0.61)的少子扩散长度I

并对这二种测试结果进行了比较

结果符合得很好。从这二种独立的实验结果获得表面复合速率S。S为6-7

#215;10

cm/s

扩散长度L

为1.6～2.2μm。此外对p-G

ε1-x

1.y

与InP衬底间的少数载流子行为进行了讨论。

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