浏览全部资源
扫码关注微信
杭州大学
收稿:1983-08-24,
纸质出版:1983-11-30
移动端阅览
葛世潮. ZnO:Zn低能电子发光的亮度饱和[J]. 发光学报, 1983,4(4): 54-62
Ge Shi-chao. BRIGHTNESS SATURATION OF THE LOW ENERGY ELECTRON LUMINESCENCE OF ZnO:Zn[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1983,4(4): 54-62
葛世潮. ZnO:Zn低能电子发光的亮度饱和[J]. 发光学报, 1983,4(4): 54-62 DOI:
Ge Shi-chao. BRIGHTNESS SATURATION OF THE LOW ENERGY ELECTRON LUMINESCENCE OF ZnO:Zn[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1983,4(4): 54-62 DOI:
本文讨论了ZnO:Zn低能电子发光亮度饱和的物理原因。指出
在V
g
=V
a
(通常数字显示的情况)的条件下
亮度饱和的主要原因是ZnO:Zn次级电子发射和阴极发射疲劳;若取V
则饱和亮度成倍提高
这时热猝灭将是亮度饱和的主要因素。同时指出
对于一定的输入功率
存在着一个与最佳效率相对应的最佳阳极电流密度;低阳极电流密度
高阳极电压往往是低效率的。作者根据本文的研究结果
制成了饱和亮度高达37
000cd/m
2
的发光管和饱和亮度为22
、能在5
000至10
稳定工作的高亮度数字显示管。后者配上适当的滤光片、在阳光直接照射或照度高达100
000lux的条件下仍能清晰地阅读。
0
浏览量
170
下载量
CSCD
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构