InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究

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电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究
- THE STUDY OF DEGRADATION CHARACTERISTICS FOR THE inGaAsP/InP DOUBLE HETEROJUNCTION LIGHT EMITTING DIODES
- 发光学报 1982年3卷第2期页码：65-70
- 作者机构：
  
  中国科学院上海冶金研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1982-03-20，
  
  纸质出版：1982-05-30
- 稿件说明：
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张桂成, 水海龙. InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究[J]. 发光学报, 1982,3(2): 65-70

Zhang Gui-cheng, Shui Hai-long. THE STUDY OF DEGRADATION CHARACTERISTICS FOR THE inGaAsP/InP DOUBLE HETEROJUNCTION LIGHT EMITTING DIODES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(2): 65-70
张桂成, 水海龙. InGaAsP/InP双异质结发光管退化特性的研究[J]. 发光学报, 1982,3(2): 65-70 DOI：

Zhang Gui-cheng, Shui Hai-long. THE STUDY OF DEGRADATION CHARACTERISTICS FOR THE inGaAsP/InP DOUBLE HETEROJUNCTION LIGHT EMITTING DIODES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(2): 65-70 DOI：

在室温(15～35℃)

大气气氛中研究了InGaAsP/InP双异质结发光二极管的退化特性。有二种慢退化类型

连续工作10

小时后

InGaAsP/InP发光二极管的电学参数、光学参数(除原有暗结构的B型慢退化器件

老化初期光功率下降10～20%外)均无明显变化。用红外电视选行扫描仪观察了老化过程中发光区的EL图象。研究了该器件的退化特性与EL图象的变化规律

找出了它们的对应关系。用扩展缺陷模型解释了InGaAsP/InP双异质结发光管的退化机理。

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