Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金组分的电解液电场调制反射(EER)光谱测量

陈良尧; 钱佑华

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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金组分的电解液电场调制反射(EER)光谱测量

其它 | 更新时间：2020-08-11

- Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金组分的电解液电场调制反射(EER)光谱测量
- ELECCTROLYTE ELECTROREFLECTANCE (EER) MEASUREMENTS FOR COMPOSITION OF Ⅲ-Ⅴ GROUP COMPOUND SEMICON-DUCTOR ALLOYS
- 发光学报 1982年3卷第1期页码：69-76
- 作者机构：
  
  复旦大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1982-02-28
- 稿件说明：
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陈良尧, 钱佑华. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金组分的电解液电场调制反射(EER)光谱测量[J]. 发光学报, 1982,3(1): 69-76

Chen Liang-yao, Qian You-hua. ELECCTROLYTE ELECTROREFLECTANCE (EER) MEASUREMENTS FOR COMPOSITION OF Ⅲ-Ⅴ GROUP COMPOUND SEMICON-DUCTOR ALLOYS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(1): 69-76
陈良尧, 钱佑华. Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金组分的电解液电场调制反射(EER)光谱测量[J]. 发光学报, 1982,3(1): 69-76 DOI：

Chen Liang-yao, Qian You-hua. ELECCTROLYTE ELECTROREFLECTANCE (EER) MEASUREMENTS FOR COMPOSITION OF Ⅲ-Ⅴ GROUP COMPOUND SEMICON-DUCTOR ALLOYS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(1): 69-76 DOI：

摘要

观察了一系列Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体合金GaAs

和Al

As样品的电解液电场调制反射光谱(EER)与合金组分参数X的关系.在临界点能量及其相关的自旋“轨道分裂E

△

的计算中

采用了”三点调整法”.按照文献给出的公式

从Eg0的值求得所有GaAs

样品的组分.由此

通过最佳拟合法碍到[E

+△

]

(x)、E

(x)、(E

+△

)(x)的经验公式均为抛物线型的.在GaP(X=1)的情形中

明确地测得△

的值约为0.19eV

这与△

:△

比值的“2/3规则”有显著的偏离.本文还说明了

对半导体合金组分的光电压法测定中常用的线性型E

(x)假设

有必要进行二次项修正.

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