在正向电压激发下ZnSe MIS二极管的自由激子发光

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电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 在正向电压激发下ZnSe MIS二极管的自由激子发光
- FREE EXCITON EMISSION IN FORWARD-BIASED ZnSe MIS DIODES
- 发光学报 1981年2卷第3期页码：12-17
- 作者机构：
  
  1. 中国科学院长春物理研究所
  2. 英国Durham大学应用物理和电子学系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 纸质出版：1981-08-30
- 稿件说明：
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范希武, J. Woods. 在正向电压激发下ZnSe MIS二极管的自由激子发光[J]. 发光学报, 1981,2(3): 12-17

Fan Xi-wu, J. Woods. FREE EXCITON EMISSION IN FORWARD-BIASED ZnSe MIS DIODES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(3): 12-17
范希武, J. Woods. 在正向电压激发下ZnSe MIS二极管的自由激子发光[J]. 发光学报, 1981,2(3): 12-17 DOI：

Fan Xi-wu, J. Woods. FREE EXCITON EMISSION IN FORWARD-BIASED ZnSe MIS DIODES[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(3): 12-17 DOI：

研究了最低温度为20~30K时

在正向电压激发下ZnSe MIS二极管的激子发光光谱

在这一温度下

二极管有可能通过足以产生发光的电流.对于利用通常气相技术生长的高纯晶体所制备的二极管

其电致发光几乎完全由

→

自由激子发光的1LO和2LO声子伴线所组成.根据Gross等人的半经典理论

讨论了两个谱带的形状.结果是谱带的宽度和不对称性归结为激子服从Maxwell-Boltzmann分布

其有效激子温度接近于晶格温度.

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