高掺杂半导体的带尾结构及其对载流子瞬态分布的影响

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发光的一般问题 | 更新时间：2020-08-11

- 高掺杂半导体的带尾结构及其对载流子瞬态分布的影响
- BANDTAIL-STRUCTURE IN HEAVILY DOPED SENICONDUCTOR (GaAs) AND TS INFLUENCE ON THE TRANSIENT DISTRIBUTION OF INJECTED CARRIERS
- 发光学报 1981年2卷第2期页码：12-33
- 作者机构：
  
  1. 北京大学物理系
  2. 中国科学院半导体所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1980-12-22，
  
  纸质出版：1981-05-30
- 稿件说明：
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郭长志, 李国华, 张敬明, 郑宝贞. 高掺杂半导体的带尾结构及其对载流子瞬态分布的影响[J]. 发光学报, 1981,2(2): 12-33

Guo Chang-zhi, Li Guo-hua, Zhang Jing-ming, Zheng Bao-zhen. BANDTAIL-STRUCTURE IN HEAVILY DOPED SENICONDUCTOR (GaAs) AND TS INFLUENCE ON THE TRANSIENT DISTRIBUTION OF INJECTED CARRIERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(2): 12-33
郭长志, 李国华, 张敬明, 郑宝贞. 高掺杂半导体的带尾结构及其对载流子瞬态分布的影响[J]. 发光学报, 1981,2(2): 12-33 DOI：

Guo Chang-zhi, Li Guo-hua, Zhang Jing-ming, Zheng Bao-zhen. BANDTAIL-STRUCTURE IN HEAVILY DOPED SENICONDUCTOR (GaAs) AND TS INFLUENCE ON THE TRANSIENT DISTRIBUTION OF INJECTED CARRIERS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1981,2(2): 12-33 DOI：

本文从理论上分析了稳态和瞬态情况半导体自发发射光谱峰值与载流子在能带中的分布极大值之间的关系;载流子分布极大值位于带尾中的条件;载流子分布极大值在带尾中随注入水平变化的快慢与带尾形状以及载流子是否达到准平衡分布的关系。建立了从稳态和瞬态发射光谱的峰值移动规律定量地确定带尾态密度分布的新方法

并得出了在掺双性硅的GaAs

自发发光的瞬态过程中不存在准费米能级的重要结论。实验上系统地测量了掺有不同杂质、不同掺杂浓度和补偿度的GaAs同质结和异质结样品在不同注入水平下在300K和77K的稳态和瞬态时间分辨光谱。实验结果与理论预期相当符合

并据此探讨了带尾对发光瞬态响应时间的影响。

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