特性异常的发光管的分析研究

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特性异常的发光管的分析研究

电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- 特性异常的发光管的分析研究
- ANALYSIS AND INVESTIGATION FOR THE LED's OF MORE QUANTUM EFFICIENCIES AND SPECTRUM PEAKS
- 发光学报 1983年4卷第2期页码：63-69
- 作者机构：
  
  永川光电技术研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1982-12-18，
  
  纸质出版：1983-05-30
- 稿件说明：
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詹素真, 郑广富. 特性异常的发光管的分析研究[J]. 发光学报, 1983,4(2): 63-69

Zhan Su-zhen, Zheng Guang-fu. ANALYSIS AND INVESTIGATION FOR THE LED's OF MORE QUANTUM EFFICIENCIES AND SPECTRUM PEAKS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1983,4(2): 63-69
詹素真, 郑广富. 特性异常的发光管的分析研究[J]. 发光学报, 1983,4(2): 63-69 DOI：

Zhan Su-zhen, Zheng Guang-fu. ANALYSIS AND INVESTIGATION FOR THE LED's OF MORE QUANTUM EFFICIENCIES AND SPECTRUM PEAKS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1983,4(2): 63-69 DOI：

介绍了二类不同结构的(表面和侧面发射型)红外发光二极管.研究和分析了它们在低频大电流脉冲注入下的P

—I

特性和直流注入下的光谱特性.结果表明:正常情况下

器件具有线性的P

—I

特性

直流注入下的发射光谱具有高斯分布形状

对于Burrus表面发射型器件

在0—3A的峰值脉冲电流注入下

部分器件具有的异常P

—I

特性:线性-亚线性-超线性区.在20—100mA的直流电流注入下

部分器件的发射光谱具有多峰状.

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