ZnS:Mn,Cu粉末p-V-n结直流电致发光

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电致发光 | 更新时间：2020-08-11

- ZnS:Mn,Cu粉末p-V-n结直流电致发光
- DC ELECTROLUMINESCENCE IN ZnS:Mn,Cu POWDER PHOSPHORS WITH p-v-n JUNCTIONS
- 发光学报 1983年4卷第2期页码：26-34
- 作者机构：
  
  厦门大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1983-01-17，
  
  纸质出版：1983-05-30
- 稿件说明：
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陈坚令, 洪秀霞. ZnS:Mn,Cu粉末p-V-n结直流电致发光[J]. 发光学报, 1983,4(2): 26-34

Chen Jian-ling, Kong Xiu-xia. DC ELECTROLUMINESCENCE IN ZnS:Mn,Cu POWDER PHOSPHORS WITH p-v-n JUNCTIONS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1983,4(2): 26-34
陈坚令, 洪秀霞. ZnS:Mn,Cu粉末p-V-n结直流电致发光[J]. 发光学报, 1983,4(2): 26-34 DOI：

Chen Jian-ling, Kong Xiu-xia. DC ELECTROLUMINESCENCE IN ZnS:Mn,Cu POWDER PHOSPHORS WITH p-v-n JUNCTIONS[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1983,4(2): 26-34 DOI：

对ZnS:Mn

Cu粉末DCEL屏的形成过程及光电特性作了研究.观测到经形成的EL屏具有整流特性及相位开关效应

发光局限于阳极附近

EL屏具有光生伏特效应.随着形成电压的提高与形成时间的延续

EL屏的电容量由大变小

局部发光区(结区)也从阳极附近向体内迁移.上述实验结果表明:经形成EL屏的阳极附近存在势垒-Cu

S-ZnS:Mn

Cu异质结.文中采用p-v-n结模型分析发光屏的导电机构及激发机制

指出发光区的迁移是EL屏退化的重要因素之一.采用正弦电压(频率20Hz—20kHz)激励

观测EL屏的形成过程.初步认为

EL屏的形成与老化过程主要由热引起.因此

制备具有高度热稳定性的包铜ZnS粉末屏是十分重要的.

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