用小功率He-Ne激光器测量Ga1-xAlxAs外延片表面组份的均匀性

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用小功率He-Ne激光器测量Ga_1-xAl_xAs外延片表面组份的均匀性

与发光有关的实验技术 | 更新时间：2020-08-11

- 用小功率He-Ne激光器测量Ga_1-xAl_xAs外延片表面组份的均匀性
- MEASUREMENT OF COMPOSITE UNIFORMITY OF Ga_1-xAl_xAs EPITAXIAL SURFACE WITH A LOWER POWER He-Ne LASER
- 发光学报 1983年4卷第2期页码：46-50
- 作者机构：
  
  中国科学院长春物理研究所
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1982-11-17，
  
  纸质出版：1983-05-30
- 稿件说明：
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刘学彦, 高瑛. 用小功率He-Ne激光器测量Ga1-xAlxAs外延片表面组份的均匀性[J]. 发光学报, 1983,4(2): 46-50

Liu Xue-yan, Gao Ying. MEASUREMENT OF COMPOSITE UNIFORMITY OF Ga1-xAlxAs EPITAXIAL SURFACE WITH A LOWER POWER He-Ne LASER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1983,4(2): 46-50
刘学彦, 高瑛. 用小功率He-Ne激光器测量Ga1-xAlxAs外延片表面组份的均匀性[J]. 发光学报, 1983,4(2): 46-50 DOI：

Liu Xue-yan, Gao Ying. MEASUREMENT OF COMPOSITE UNIFORMITY OF Ga1-xAlxAs EPITAXIAL SURFACE WITH A LOWER POWER He-Ne LASER[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1983,4(2): 46-50 DOI：

本文描述了一种简便可靠的分析Ga

1-x

As外延片表面组份均匀性的光学方法.在300K下

用小功率He-Ne激光器作光源

对x

lt;0.39的n型和p型外延层进行了光致发光测量.依据光谱峰值获得表面的x值与扫描电镜所得结果相符.通过激发表面不同点处测得的光致发光光谱的位移

可以迅速而直观地分析出x值分布的均匀性.

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