GaP台面腐蚀研究

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GaP台面腐蚀研究

与发光有关的实验技术 | 更新时间：2020-08-11

- GaP台面腐蚀研究
- THE RESEARCH OF MESA ETCH FOR GaP
- 发光学报 1982年3卷第2期页码：77-83
- 作者机构：
  
  浙江大学物理系
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：
  中图分类号：
- 收稿：1981-11-16，
  
  纸质出版：1982-05-30
- 稿件说明：
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丁祖昌, 吴国贤, 华伟民, 曹光胜. GaP台面腐蚀研究[J]. 发光学报, 1982,3(2): 77-83

Ding Zn-chang, Wu Guo-xinan, Hua Wei-min, Cao Guang-sheng. THE RESEARCH OF MESA ETCH FOR GaP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(2): 77-83
丁祖昌, 吴国贤, 华伟民, 曹光胜. GaP台面腐蚀研究[J]. 发光学报, 1982,3(2): 77-83 DOI：

Ding Zn-chang, Wu Guo-xinan, Hua Wei-min, Cao Guang-sheng. THE RESEARCH OF MESA ETCH FOR GaP[J]. Chinese Journal of Luminescence, 1982,3(2): 77-83 DOI：

高效GaP绿色发光二极管制造中

器件的隔离和台面制作具有十分重要意义。本文介绍了用于GaP发光器件的隔离和台面制作的碱性铁氰化钾化学腐蚀技术。观察了腐蚀温度

腐蚀时间对腐蚀深度和表面形貌间关系。结果表明:碱性铁氰化钾对GaP台面腐蚀是一种优良的腐蚀剂

具有较高的腐蚀速率(2微米/分)

并可获得光滑无凹坑或少凹坑的腐蚀面。对出现的实验现象从机理上作了解释。

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