InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性

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器件制备及器件物理 | 更新时间：2020-09-10

- InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性封面论文增强出版
- Voltage-temperature Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Laser
- 发光学报 2020年 41卷第8期 (2020)
- 作者机构：
  
  曲阜师范大学物理工程学院山东省激光偏光与信息技术重点实验室, 山东曲阜,中国,273165;中国科学院大学信息功能材料国家重点实验室,上海,中国,200050;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海,中国,200050
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家自然科学基金(61674096);山东省自然科学基金(ZR2019PA010)
- DOI：10.37188/fgxb20204108.0971 中图分类号： TN248.4;TN365
- 纸质出版日期：2020-8，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2020-4-20，
  
  修回日期：，
  
  录用日期：2020-5-20
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引用本文
李金友, 王海龙, 杨锦, 等. InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性[J]. 发光学报, 2020, 41(8):971-976.

Jin-you LI, Hai-long WANG, Jin YANG, et al. Voltage-temperature Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(8):971-976.
李金友, 王海龙, 杨锦, 等. InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性[J]. 发光学报, 2020, 41(8):971-976. DOI： 10.37188/fgxb20204108.0971.

Jin-you LI, Hai-long WANG, Jin YANG, et al. Voltage-temperature Characteristics of InGaAs/GaAs/InGaP Quantum Well Laser[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020, 41(8):971-976. DOI： 10.37188/fgxb20204108.0971.

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InGaAs/GaAs/InGaP量子阱激光器的温度电压特性 封面论文 增强出版

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