1.中国原子能科学研究院 核物理所,北京 102413
2.国防科技工业抗辐照应用技术创新中心,北京 102413
3.中国科学院半导体研究所 光电子器件国家工程中心,北京 100083
4.中国科学院大学,北京 100049
[ "刘翠翠(1993-),女,河北沧州人,博士,助理研究员,2020年于中国科学院半导体研究所获得博士学位,主要从事高功率半导体激光二极管、半导体器件可靠性分析等方面的研究。E-mail: sissiliu2020@163.com." ]
刘翠翠(1993-),女,河北沧州人,博士,助理研究员,2020年于中国科学院半导体研究所获得博士学位,主要从事高功率半导体激光二极管、半导体器件可靠性分析等方面的研究。E-mail: sissiliu2020@163.com.
[ "林楠(1986-),男,陕西渭南人,硕士,助理研究员,2012年于西安理工大学获得硕士学位,主要从事高功率半导体激光二极管及其组件的研究。E-mail: linnan@semi.ac.cn" ]
林楠(1986-),男,陕西渭南人,硕士,助理研究员,2012年于西安理工大学获得硕士学位,主要从事高功率半导体激光二极管及其组件的研究。E-mail: linnan@semi.ac.cn
[ "马骁宇(1963-),男,吉林延吉人,硕士,研究员,博士生导师,1987年于吉林大学获得硕士学位,主要从事材料生长、高功率半导体激光二极管阵列及其组件的研究。E-mail: maxy@semi.ac.cn." ]
马骁宇(1963-),男,吉林延吉人,硕士,研究员,博士生导师,1987年于吉林大学获得硕士学位,主要从事材料生长、高功率半导体激光二极管阵列及其组件的研究。E-mail: maxy@semi.ac.cn.
纸质出版日期:2022-01,
收稿日期:2021-09-22,
修回日期:2021-10-11,
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引用本文
刘翠翠, 林楠, 马骁宇, 等. 带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管[J]. 发光学报, 2022, 43(1):110-118.
Cui-cui LIU, Nan LIN, Xiao-yu MA, et al. High Performance InGaAs/AlGaAs Quantum Well Semiconductor Laser Diode with Non-absorption Window[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022, 43(1):110-118.
刘翠翠, 林楠, 马骁宇, 等. 带有非吸收窗口的高性能InGaAs/AlGaAs量子阱激光二极管[J]. 发光学报, 2022, 43(1):110-118. DOI: 10.37188/CJL.20210306.
Cui-cui LIU, Nan LIN, Xiao-yu MA, et al. High Performance InGaAs/AlGaAs Quantum Well Semiconductor Laser Diode with Non-absorption Window[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2022, 43(1):110-118. DOI: 10.37188/CJL.20210306.
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