p-GaN插入层调控InGaN基黄绿双波长LED发光光谱

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材料合成及性能 | 更新时间：2020-08-12

- p-GaN插入层调控InGaN基黄绿双波长LED发光光谱封面论文增强出版
- Effect of p-GaN Spacer Layer on Emission Spectrum of Yellow-green Dual Wavelength LED
- 发光学报 2020年 41卷第2期 (2020)
- 作者机构：
  
  南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心,江西,南昌,330047
- 作者简介：
- 基金信息：
  
  国家重点研发计划（2017YFB0403105，2017YFB0403100）();国家自然科学基金（51602141，11674147，61604066，116041
- DOI：10.3788/fgxb20204102.0146 中图分类号： O484.4;TN383+.1
- 纸质出版日期：2020-2-5，
  
  网络出版日期：2019-12-20，
  
  收稿日期：2019-11-19，
  
  修回日期：2019-12-17，
  
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引用本文
魏铎垒, 张建立, 刘军林等. p-GaN插入层调控InGaN基黄绿双波长LED发光光谱[J]. 发光学报, 2020,41(2): 146-152

WEI Duo-lei, ZHANG Jian-li, LIU Jun-lin etc. Effect of p-GaN Spacer Layer on Emission Spectrum of Yellow-green Dual Wavelength LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020,41(2): 146-152
魏铎垒, 张建立, 刘军林等. p-GaN插入层调控InGaN基黄绿双波长LED发光光谱[J]. 发光学报, 2020,41(2): 146-152 DOI： 10.3788/fgxb20204102.0146.

WEI Duo-lei, ZHANG Jian-li, LIU Jun-lin etc. Effect of p-GaN Spacer Layer on Emission Spectrum of Yellow-green Dual Wavelength LED[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2020,41(2): 146-152 DOI： 10.3788/fgxb20204102.0146.

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相关机构

南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心

南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心, 江西南昌 330047

闽南师范大学物理与信息工程学院, 福建漳州 363000

南昌大学国家硅基LED工程技术研究中心

闽南师范大学物理与信息工程学院

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