纸质出版日期:2015-11-10,
网络出版日期:,
收稿日期:2015-7-13,
修回日期:2015-9-18,
录用日期:
扫 描 看 全 文
引用本文
陈道明, 国凤云, 张新建等. InAs/GaInSb超晶格薄膜结构与电学性能[J]. 发光学报, 2015,36(11): 1252-1257
CHEN Dao-ming, GUO Feng-yun, ZHANG Xin-jian etc. Structure and Electrical Properties of InAs/GaInSb Superlattice Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(11): 1252-1257
陈道明, 国凤云, 张新建等. InAs/GaInSb超晶格薄膜结构与电学性能[J]. 发光学报, 2015,36(11): 1252-1257 DOI: 10.3788/fgxb20153611.1252.
CHEN Dao-ming, GUO Feng-yun, ZHANG Xin-jian etc. Structure and Electrical Properties of InAs/GaInSb Superlattice Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(11): 1252-1257 DOI: 10.3788/fgxb20153611.1252.
0
浏览量
5
下载量
1
总被引
关联资源
相关文章
相关作者
相关机构