InAs/GaInSb超晶格薄膜结构与电学性能

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材料合成及性能 | 更新时间：2020-08-12

- InAs/GaInSb超晶格薄膜结构与电学性能封面论文增强出版
- Structure and Electrical Properties of InAs/GaInSb Superlattice Film
- 发光学报 2015年 36卷第11期 (2015)
- 作者机构：
  
  中国工程物理研究院材料研究所, 四川江油,621907;哈尔滨工业大学材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001
- 作者简介：
- 基金信息：
- DOI：10.3788/fgxb20153611.1252 中图分类号： O484.4
- 纸质出版日期：2015-11-10，
  
  网络出版日期：，
  
  收稿日期：2015-7-13，
  
  修回日期：2015-9-18，
  
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引用本文
陈道明, 国凤云, 张新建等. InAs/GaInSb超晶格薄膜结构与电学性能[J]. 发光学报, 2015,36(11): 1252-1257

CHEN Dao-ming, GUO Feng-yun, ZHANG Xin-jian etc. Structure and Electrical Properties of InAs/GaInSb Superlattice Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(11): 1252-1257
陈道明, 国凤云, 张新建等. InAs/GaInSb超晶格薄膜结构与电学性能[J]. 发光学报, 2015,36(11): 1252-1257 DOI： 10.3788/fgxb20153611.1252.

CHEN Dao-ming, GUO Feng-yun, ZHANG Xin-jian etc. Structure and Electrical Properties of InAs/GaInSb Superlattice Film[J]. Chinese Journal of Luminescence, 2015,36(11): 1252-1257 DOI： 10.3788/fgxb20153611.1252.

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