Los puntos cuánticos de perovskita CsPbBr₃, debido a su emisión estrecha, alta pureza de color y alta eficiencia cuántica, tienen un gran valor de aplicación en QLED. La capa tradicional de inyección de huecos PEDOT:PSS presenta problemas como alta acidez, morfología rugosa, desajuste de niveles energéticos y desequilibrio en la inyección de portadores, lo que limita gravemente el rendimiento de emisión del dispositivo. En este artículo se utiliza un dopaje sinérgico binario de PEDOT:PSS con PSSNa y los bromuros metálicos CuBr₂, NiBr₂ y LiBr para modificar y controlar la morfología de la película, pasivar eficazmente los defectos de interfaz, optimizar la estructura de los niveles de energía y equilibrar el transporte de portadores. Los resultados de la caracterización morfológica muestran que el dopaje binario mejora la densidad de la película, promueve la distribución uniforme y la disposición ordenada de los puntos cuánticos, reduce las pérdidas por recombinación no radiativa y disminuye la barrera de inyección de huecos. Las pruebas de desempeño del dispositivo indican que los dispositivos QLED modificados tienen un voltaje de encendido más bajo, un brillo y una eficiencia significativamente mejorados, siendo el dispositivo dopado con NiBr₂ el de mejor rendimiento, con una eficiencia cuántica externa máxima del 9,78 %, que es 2,2 veces la del dispositivo original. Este estudio proporciona una vía efectiva para la modificación de la capa de inyección de huecos en QLEDs de perovskita.

Puntos cuánticos de perovskita; PEDOT:PSS; dopaje combinado; capa de inyección de huecos