La perovskita de yoduro de plomo (FAPbI₃) se ha convertido en un material candidato clave en el campo de la amplificación de luz infrarroja cercana y dispositivos láser debido a su estrecho ancho de banda de aproximadamente 1,47 eV y su rendimiento óptico excepcional. Sin embargo, las películas de FAPbI₃ se cristalizan rápidamente durante el proceso de preparación con disolventes tradicionales N,N-dimetilformamida/dimetilsulfóxido (DMF/DMSO), lo que fácilmente conduce a altos defectos en la película, y la perovskita FAPbI₃ tiende a transformarse de una fase negra (fase α) fotoeléctricamente activa a una fase amarilla (fase δ) sin actividad fotoeléctrica, reduciendo así el rendimiento y la estabilidad de los dispositivos láser y limitando su aplicación práctica. Para resolver estos problemas, este estudio propone introducir una base de Lewis fuertemente coordinada, la tetrametilurea (TMU), en el sistema de estudio FAPbI₃ para construir un disolvente DMF/TMU en sustitución de los disolventes tradicionales. En comparación con el DMSO, la interacción más fuerte entre el TMU y el soluto puede retrasar eficazmente la transición de la fase intermedia a la fase perovskita, obteniendo películas de perovskita de alta calidad con menos defectos y suprimiendo significativamente la transición de la fase α a la fase δ. Bajo condiciones de excitación láser de nanosegundos, el umbral de emisión espontánea amplificada (Amplified spontaneous emission, ASE) de las películas de FAPbI₃-TMU preparadas es de 10,93 μJ·cm^-2, que es un 38,35 % menor que en las películas de FAPbI₃-DMSO, con una ganancia y pérdida óptica significativamente optimizadas, y una estabilidad óptica y térmica significativamente mejorada. Este estudio proporciona un nuevo enfoque para lograr dispositivos láser de perovskita eficientes y estables a través de la ingeniería de disolventes.

FAPbI₃; tetrametilurea; emisión espontánea amplificada; estabilidad