NiO_x, como material de capa de inyección de agujeros inorgánica (HIL) en los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QLED), atrajo una gran atención, y los métodos de preparación actuales todavía enfrentan desafíos como alto costo y procesos complicados. En este estudio, se sintetizaron nanocristales NiO_x monodispersos y altamente cristalinos (tamaño promedio de partícula ~5.5 nm) mediante el método de inyección térmica, combinando las ventajas de bajo costo del método en solución y la ausencia de necesidad de recocido a alta temperatura. Se introdujo una capa molecular de 2PACz (ácido fosfónico (2-(9H-carbazol-9-il)etil)) en la interfaz entre el HIL NiO_x y la capa de transporte de agujeros, lo que redujo eficazmente la erosión del solvente y disminuyó la concentración de defectos de grupos hidroxilos superficiales en un 6,3%. Los QLED rojos fabricados con este HIL compuesto mostraron una reducción en el voltaje de encendido de 6,1 V a 5,8 V, un aumento en la eficiencia cuántica externa de 5,24% a 7,34% y una mejora en la vida útil del 73%. Este estudio propone un nuevo método sencillo y económico para preparar un HIL basado en NiO_x para QLED completamente inorgánicos.

diodo emisor de luz de puntos cuánticos; método de inyección térmica; óxido de níquel; capa de inyección de agujeros inorgánica