Se prepararon películas delgadas amorfas de óxido de galio (Ga₂O₃) no intencionalmente dopadas y controladas en atmósferas de H₂/N₂ a temperatura ambiente mediante pulverización magnetrón asistida por plasma inductivamente acoplado (ICP). Se estudiaron sistemáticamente sus propiedades ópticas y el comportamiento de emisión relacionado con defectos mediante difracción de rayos X, espectroscopía de polarización elíptica, espectros de absorción, fotoluminiscencia (PL) y fotoluminiscencia resuelta en el tiempo (TRPL). Los resultados muestran que todas las muestras presentan características típicas de emisión de defectos de banda ancha; la asistencia ICP y la atmósfera H₂/N₂ pueden afectar el comportamiento lumínico de las películas amorfas de Ga₂O₃ mediante la regulación de los estados cola de banda y los canales de recombinación relacionados con defectos. ICP modula principalmente los canales de emisión de defectos originales y afecta la cola del índice de absorción; la atmósfera H₂ modula adicionalmente el canal de emisión de banda ancha azul-verde mostrando una alta estabilidad térmica y una vida útil aparente más larga; la atmósfera N₂ aumenta significativamente la energía de Urbach, introduce un componente de emisión de baja energía de aproximadamente 1,97 eV y aumenta la complejidad de la distribución del nivel de defectos. Este trabajo proporciona una base experimental para entender y controlar el comportamiento de emisión relacionado con defectos en películas amorfas de Ga₂O₃.

óxido de galio amorfo;emisión de defectos;control H₂/N₂;fotoluminiscencia;plasma inductivamente acoplado