Mejorar la eficiencia de los diodos emisores de luz de perovskita mediante la modificación de la capa de transporte de huecos con LiF

SHENG Bo ,  

YU Rongmei ,  

JI Wenyu ,  

摘要

Los diodos emisores de luz de perovskita (PeLEDs) son considerados candidatos prometedores para la tecnología de visualización de próxima generación debido a su excelente rendimiento optoelectrónico. Aunque se ha mejorado significativamente el rendimiento de los dispositivos, cómo obtener películas de perovskita de alta calidad para conseguir PeLEDs de alto rendimiento sigue siendo un desafío en este campo. En este estudio, se mejoró enormemente la humectabilidad de la capa tradicional de transporte de huecos al depositar una fina capa modificada de LiF sobre ella. Las pruebas ópticas muestran que la calidad de las películas de perovskita fabricadas sobre esta capa se ha mejorado y se ha reducido el contenido de perovskita de baja dimensión. Además, debido a las propiedades aislantes del LiF, se redujo la inyección de carga de huecos, logrando así un balance más equilibrado en la inyección de portadores de carga. Como resultado, la eficiencia cuántica externa máxima del dispositivo electroluminiscente de perovskita aumentó del 11,9% al 17,1%, lo que representa un aumento de aproximadamente el 44%.

关键词

diodos emisores de luz de perovskita; modificación de interfaces; fluoruro de litio; humectabilidad de superficie

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