El rendimiento de los diodos emisores de luz (LED) de perovskita azul pura está limitado por una gran barrera de inyección de huecos entre la capa de transporte de huecos y la capa emisora de perovskita de banda ancha. En respuesta a este problema, este trabajo propone una estrategia de regulación del nivel energético basada en la capa de transporte de huecos dopada con una pequeña molécula orgánica cloruro de fenilselenio (Ph-Se-Cl) en policarbazol (PVK), para optimizar simultáneamente la inyección de portadores en la interfaz y la calidad de la película. Los resultados muestran que la introducción de Ph-Se-Cl desplaza significativamente el nivel del orbital molecular ocupante más alto (HOMO) de PVK de -5,91 eV a -6,11 eV, reduciendo eficazmente la diferencia de nivel con el valor máximo de la banda de valencia de la perovskita azul pura y disminuyendo la barrera de inyección de huecos; al mismo tiempo, la distribución del potencial superficial de la película HTL dopada es más uniforme, lo que favorece la formación de películas de perovskita de alta calidad y reduce los defectos de interfaz. Finalmente, los dispositivos PeLEDs basados en Ph-Se-Cl dopados alcanzaron una eficiencia cuántica externa máxima del 11,18%, lo que supone una mejora del 41,5% en comparación con los dispositivos no dopados, y el rendimiento del dispositivo mostró una excelente repetibilidad.

diodo emisor de luz; perovskita; azul puro; película; dispositivo