Los diodos emisores de luz de puntos cuánticos de perovskita (Pe QLEDs) se han convertido en candidatos muy prometedores para la tecnología de pantallas de próxima generación. Sin embargo, su rendimiento aún está limitada por el apagamiento fluorescente de los puntos cuánticos (QD) causado por la capa de transporte de electrones (ETL), así como por la inyección excesiva de electrones. Aquí se propone una estrategia de ingeniería de interfaz mediante la inserción de TmPPPyTz (2,4,6-tris(3'-(piridin-3-il)-[1,1'-bifenil]-3-il)-1,3,5-triazina) entre la capa emisiva y la capa de transporte de electrones BPBiPA (2-fenil-1-(4-(10-(4-(2-fenil-3a,7a-dihidro-1H-benzimidazol-1-il)fenil)antraceno-9-il)fenil)-1H-benzimidazol), que simultáneamente suprime el apagamiento en la interfaz, ajusta el equilibrio de portadores y pasiva la interfaz de la capa emisiva. Se realizaron análisis ópticos y eléctricos completos, y finalmente el dispositivo optimizado alcanzó una eficiencia cuántica externa máxima (EQE) del 28,1% y una estabilidad operativa mejorada en 1,7 veces. Este trabajo proporciona un método efectivo de ingeniería de interfaz para lograr Pe QLEDs eficientes y estables.

Diodos emisores de luz de puntos cuánticos de perovskita; ingeniería de interfaz; apagamiento fluorescente