NiO_x, como material de capa de inyección de huecos inorgánica (HIL) destacada en diodos emisores de luz de puntos cuánticos (QLED), enfrenta todavía desafíos como alto costo y procesos complejos en sus métodos de preparación actuales. En este trabajo, se sintetizaron nanocristales de NiO_x monodispersos y altamente cristalinos (tamaño promedio ~ 5.5 nm) mediante un método de inyección térmica, que combina la baja costo del método en solución y la ventaja de no requerir tratamiento térmico a alta temperatura. Además, se introdujo una capa molecular de (2-(9H-carbazol-9-il) etil) ácido fosfónico 2PACz en la interfaz entre la HIL de NiO_x y la capa de transporte de huecos, lo que inhibió eficazmente la erosión por solventes y redujo la concentración de defectos hidroxi superficiales en un 6.3%. Basado en esta HIL compuesta, se fabricó un QLED rojo cuya tensión de encendido disminuyó de 6.1 V a 5.8 V, la eficiencia cuántica externa aumentó de 5.24% a 7.34%, y la vida útil mejoró en un 73%. Este estudio proporciona una solución sencilla y de bajo costo para preparar capas HIL basadas en NiO_x para QLED totalmente inorgánicos.

diodos emisores de luz de puntos cuánticos;inyección térmica;óxido de níquel;capa de inyección de huecos inorgánica