Los diodos emisores de luz de perovskita (PeLEDs) han recibido amplia atención debido a su alta pureza de color, procesamiento en solución y excelentes propiedades de emisión. Sin embargo, los estados defectuosos en la interfaz inferior PEDOT:PSS/perovskita y la incompatibilidad de mojado provocan un aumento en la recombinación no radiativa y un desequilibrio en la inyección de portadores, limitando la mejora del rendimiento del dispositivo. Este estudio selecciona el ácido fenilfosfónico (PhPA) como molécula de modificación de interfaz, construyendo una capa modificadora entre PEDOT:PSS y la capa emisora de perovskita, optimizada mediante lavado con isopropanol (IPA). Los resultados muestran que PhPA puede regular el entorno químico y la energía superficial de PEDOT:PSS, mejorar el film de perovskita y suprimir la recombinación no radiativa; tras el lavado con IPA, se reduce la molécula PhPA redundante en la interfaz y se mejora aún más el proceso de recombinación de portadores. La eficiencia cuántica externa máxima del dispositivo verde preparado bajo esta estrategia aumentó del 6,59 % al 9,51 %, y la vida útil de funcionamiento del dispositivo (T₅₀) mejoró significativamente más de 4 veces (de 104,24 s a 433,11 s). Esta estrategia de tratamiento de interfaz amplía las aplicaciones de moléculas fosfónicas en la regulación de la interfaz inferior de PeLEDs y proporciona una base experimental para mejorar la eficiencia y la estabilidad operativa del dispositivo.

perovskita;diodo emisor de luz;ingeniería de interfaz;ácido fenilfosfónico