Los puntos cuánticos de sulfuros de cadmio (CdS) como materiales emisores clásicos de semiconductores del grupo II–VI, han recibido amplia atención debido a su alta eficiencia cuántica y espectro de emisión ajustable. Sin embargo, su mecanismo intrínseco de emisión en el borde de banda conduce a un bajo desplazamiento de Stokes y una fuerte autoabsorción; a la vez, los defectos superficiales únicos provocados por una alta área superficial específica facilitan la recombinación no radiactiva, limitando severamente su aplicación en dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento y biosensores. Para superar estas limitaciones intrínsecas, la introducción de iones de metales de transición (como Mn²⁺, Cu⁺/Cu²⁺, Ag⁺, Co²⁺, etc.) en la red cristalina de CdS para el dopaje modificado se ha convertido en una vía efectiva para resolver este problema fundamental. El dopaje no solo altera las rutas de recombinación de excitones al introducir niveles intermedios, aliviando efectivamente los defectos antes mencionados, sino que también dota al material de una larga vida útil de emisión, un gran desplazamiento de Stokes, así como excelentes propiedades magnéticas y fotocatalíticas. Este artículo revisa sistemáticamente los avances recientes en la investigación de puntos cuánticos CdS dopados con metales de transición. Primero, se explica en profundidad el mecanismo de emisión y la dinámica ultrarrápida de portadores para diferentes iones dopantes en la matriz CdS; en segundo lugar, se resumen las estrategias de regulación de la eficiencia de emisión mediante la posición del dopaje y el recubrimiento superficial; finalmente, se sistematizan los avances más recientes en aplicaciones en LED blancos, detección fluorescente, fotodetección y fotocatálisis, y se discuten los desafíos en la eliminación del cadmio y las direcciones futuras en este campo.

puntos cuánticos de sulfuros de cadmio; dopaje con metales de transición; mecanismo de emisión; detección fluorescente; dispositivos optoelectrónicos