Los puntos cuánticos de sulfuro de cadmio (CdS), como materiales emisores clásicos de semiconductores del grupo II-VI, han recibido mucha atención debido a su alta eficiencia cuántica, espectro de emisión ajustable y otras excelentes propiedades ópticas. Sin embargo, su mecanismo intrínseco de emisión de radiación en el borde de la banda conduce a un desplazamiento de Stokes pequeño y una fuerte autoabsorción; al mismo tiempo, la alta área superficial específica lleva a defectos superficiales únicos que facilitan la recombinación no radiativa y limitan seriamente su aplicación en dispositivos optoelectrónicos de alto rendimiento y biosensores. Para superar estas limitaciones intrínsecas, la introducción de iones metálicos de transición (como Mn²⁺, Cu⁺/Cu²⁺, Ag⁺, Co²⁺, etc.) en la red cristalina de CdS a través de dopaje se ha convertido en una vía efectiva para abordar este problema clave. El dopaje no solo cambia las rutas de recombinación de excitones mediante la introducción de niveles intermedios, aliviando efectivamente los defectos mencionados, sino que también proporciona al material una larga vida útil de emisión, un gran desplazamiento de Stokes y excelentes propiedades magnéticas y fotocatalíticas. Este artículo revisa sistemáticamente los avances recientes en la investigación de puntos cuánticos de CdS dopados con metales de transición. Primero, se explican en profundidad los mecanismos de emisión de los diferentes iones dopantes en la matriz CdS y la dinámica ultrarrápida de los portadores; segundo, se resumen las estrategias de regulación de la eficiencia de emisión mediante la posición del dopaje y el recubrimiento superficial; finalmente, se abordan sistemáticamente los últimos avances en aplicaciones en LED de luz blanca, sensores fluorescentes, fotodetección y fotocatálisis, y se discuten los desafíos de la eliminación del cadmio y las direcciones futuras del campo.

puntos cuánticos de sulfuro de cadmio; dopaje con metales de transición; mecanismos de emisión; sensores fluorescentes; dispositivos optoelectrónicos