Diodos emisores de luz azul de perovskita eficientes basados en la optimización sinérgica de la pasivación de defectos y el transporte de portadores

HUO Xiuwei ,  

MA Jianhao ,  

ZHU Jun ,  

LIU Haitao ,  

QIN Yujie ,  

BAI Zhiwei ,  

PAN Jiangyong ,  

摘要

Aunque el rendimiento de los diodos emisores de luz de perovskita ha logrado avances significativos en las bandas de luz roja y verde, la consecución de diodos emisores de luz azul de perovskita eficientes sigue limitada por la recombinación no radiativa severa en la capa emisora y el desequilibrio en la inyección de cargas. Este estudio emplea una estrategia de optimización sinérgica que combina la regulación de la fase interna de la capa de perovskita con la modificación de la interfaz de la capa funcional para mejorar la eficiencia de emisión de los diodos emisores de luz azul de perovskita. Los resultados experimentales muestran que la dopación con EABr de la perovskita cuasi-bidimensional PEA₂(CsPbBr₃)₂PbBr₄ desplaza el espectro de emisión de 519 nm a 480 nm y suprime eficazmente la recombinación no radiativa. Además, en PEDOT:PSS se introduce PSS-Na y se forma una estructura doble de transporte de huecos m-PEDOT:PSS/PVK. La introducción de PSS-Na aumenta la función de trabajo de PEDOT:PSS, reduciendo así la barrera de inyección de huecos y mejorando la eficiencia del transporte de huecos; al mismo tiempo, los grupos carbazol en PVK pueden pasivar eficazmente los defectos en la capa emisora y suprimir el apagamiento de excitones. Basándose en esta estrategia de optimización sinérgica, el brillo de los diodos emisores de luz de perovskita aumentó de 258 cd/m² a 1087 cd/m², y la eficiencia cuántica externa de 4,98% a 12,7%. Esta estrategia de optimización sinérgica proporciona un nuevo enfoque para lograr diodos emisores de luz azul de perovskita de alto rendimiento.

关键词

diodos emisores de luz azul de perovskita; optimización sinérgica fase-interfaz; dopaje EABr; doble capa de transporte de huecos

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