Ante la demanda de fuentes de luz con ancho de línea estrecho y amplio ajuste para radares láser de matriz óptica de onda continua con modulación de frecuencia, se propone un láser sintonizable de ancho de línea estrecho que cubre la banda S basado en un resonador externo de triple microanillo de nitruro de silicio. El diseño adopta una integración híbrida entre una guía de onda Si₃N₄ de baja pérdida y un amplificador óptico semiconductor reflectivo basado en InP, y mediante un mecanismo de filtrado oscilante de tres microanillos logra un amplio rango de ajuste de 88 nm (1 450~1 538 nm). La estructura de cavidad externa larga y un microanillo de alta calidad comprimen el ancho de línea a alrededor de 0.89 kHz, y un espejo reflectante en anillo Sagnac ajustable optimiza la estabilidad del feedback. Los resultados de simulación muestran que el láser satisface los requisitos de la fuente de banda S para sistemas de radar láser de matriz óptica de onda continua con modulación de frecuencia en cuanto a rango de ajuste, ancho de línea y relación de supresión de modos laterales, y su salida en banda S no solo es compatible con la alta respuesta del detector Ge/Si, sino que también puede servir como complemento espectral para las fuentes actuales de banda C+L. En el futuro, a través de la integración en chip, se podrá cubrir toda la banda S+C+L, proporcionando una solución de fuente óptica de alto rendimiento y escalable para radares láser totalmente sólidos con escaneo angular amplio.

Láser de cavidad externa integrada;Láser sintonizable;Ancho de línea estrecho;Microanillo