Con el desarrollo de sistemas optoelectrónicos inteligentes hacia la multispectralidad, ahorro energético, miniaturización y multifuncionalidad, el rango espectral limitado de los detectores optoelectrónicos tradicionales no puede satisfacer las demandas de percepción avanzada. El desarrollo de detectores de amplio espectro y alto rendimiento se ha convertido en un desafío importante. Para superar esta limitación, este estudio diseñó y fabricó un nuevo detector optoelectrónico de amplio espectro basado en la estructura sándwich β-Ga₂O₃/Au/MAPbI₃. El dispositivo utiliza oro como electrodo intermedio, y β-Ga₂O₃ y MAPbI₃ como materiales absorbentes en las capas superior e inferior, formando una unión heteroestructurada apilada de tres capas que logra una detección eficiente de amplio espectro desde el ultravioleta al infrarrojo cercano (200-800 nm). Con un voltaje de polarización de 6 V, el dispositivo alcanza una responsividad pico de 0,050 A W^-1 a 240 nm y 0,059 A W^-1 a 750 nm, mostrando además una rápida respuesta en el rango de microsegundos. Además, la estructura sándwich única confiere al dispositivo la capacidad de detección de amplio espectro autoimpulsada, proporcionando una solución efectiva para el desarrollo de detectores optoelectrónicos de próxima generación de alto rendimiento y bajo consumo.

Detector optoelectrónico;estructura sándwich;detección de amplio espectro