Con el desarrollo de sistemas optoelectrónicos inteligentes hacia la multidpectralidad, el ahorro energético, la miniaturización y la multifuncionalidad, el rango limitado de respuesta espectral de los detectores optoelectrónicos tradicionales dificulta satisfacer las avanzadas demandas de detección. El desarrollo de detectores de alto rendimiento y amplio espectro se ha convertido en un desafío importante. Para superar esta limitación, este estudio diseñó y fabricó un nuevo detector optoelectrónico de amplio espectro basado en una estructura tipo sándwich β-Ga₂O₃/Au/MAPbI₃. El dispositivo utiliza oro como electrodo intermedio, y β-Ga₂O₃ y MAPbI₃ como materiales absorbentes en las capas superior e inferior respectivamente, formando una heteroestructura apilada de tres capas, logrando una detección eficiente en un amplio espectro desde el ultravioleta hasta el cercano infrarrojo (200~800 nm). Bajo un voltaje de polarización de 6 V, el dispositivo alcanza una sensibilidad máxima de 0.050 A·W⁻¹ a 240 nm y 0.059 A·W⁻¹ a 750 nm, mostrando además una rápida respuesta en el rango de microsegundos. Además, la estructura tipo sándwich única otorga al dispositivo la capacidad de detección de amplio espectro autoimpulsada, proporcionando una solución efectiva para el desarrollo de detectores optoelectrónicos de próxima generación con alto rendimiento y bajo consumo de energía.

Detector optoelectrónico;estructura tipo sándwich;detección de amplio espectro