Con el desarrollo de sistemas optoelectrónicos inteligentes hacia la multispectralidad, el ahorro energético, la miniaturización y la multifuncionalidad, el rango de respuesta espectral limitado de los detectores optoelectrónicos tradicionales no puede satisfacer las demandas avanzadas de percepción. El desarrollo de detectores de amplio espectro y alto rendimiento se ha convertido en un desafío importante. Para superar esta limitación, este estudio diseñó y fabricó un nuevo detector optoelectrónico de amplio espectro basado en una estructura tipo sándwich β-Ga₂O₃/Au/MAPbI₃. El dispositivo utiliza oro como electrodo intermedio, y β-Ga₂O₃ y MAPbI₃ como materiales absorbentes para las capas superior e inferior respectivamente, formando una heterounión apilada de tres capas que logra una detección eficiente de amplio espectro desde el ultravioleta hasta el infrarrojo cercano (200-800 nm). Bajo un voltaje de polarización de 6 V, la responsividad máxima del dispositivo a 240 nm y 750 nm alcanza 0,050 A W^-1 y 0,059 A W^-1 respectivamente, mostrando al mismo tiempo características de respuesta rápida en el rango de microsegundos. Además, la estructura tipo sándwich única confiere al dispositivo la capacidad de detección amplia y autofuncionante, proporcionando una solución efectiva para desarrollar detectores optoelectrónicos de próxima generación con alto rendimiento y bajo consumo de energía.

Detector optoelectrónico;Estructura tipo sándwich;Detección de amplio espectro