Modificación superficial por plasma para lograr el crecimiento in situ de diodos emisores de luz de perovskita de alta resolución

FAN Shiyi ,  

ZHENG Yueting ,  

CHEN Xuwen ,  

CHEN Bowen ,  

CHEN Weiguo ,  

YANG Kaiyu ,  

摘要

Los perovskitas cuasi bidimensionales, gracias a sus excelentes propiedades optoelectrónicas, alta eficiencia luminosa y capacidad de procesamiento en solución, se han convertido en materiales ideales para la próxima generación de pantallas de alta resolución. Sin embargo, en aplicaciones de pantallas de alta resolución, las técnicas tradicionales de patrón presentan dificultades para equilibrar alta resolución, alta fidelidad y calidad de las películas de perovskita: la resolución de la impresión es limitada y propensa al efecto "anillo de café"; la fotolitografía conlleva riesgos de daño por luz y es un proceso complejo; la escritura láser directa es costosa y con baja eficiencia en el uso de materiales. Por ello, proponemos una estrategia de patrón de alta resolución basada en nanoimpresión térmica y cristalización inducida por plantillas hidrófobas e hidrofílicas. Mediante la modificación superficial con plasma, se construye una película de policloruro de metacrilato de metilo (PMMA) en forma de panal con contraste de humectabilidad, utilizando el gradiente de energía interfacial para conducir el crecimiento selectivo y localizado de la solución precursora de perovskita en áreas hidrofílicas preestablecidas, logrando un microarreglo de perovskita con bordes definidos, uniforme y denso. Los diodos emisores de luz de perovskita (PeLED) de alta resolución fabricados exhiben un pico de emisión a 527 nm, una eficiencia cuántica externa máxima (EQE) del 7,24% y un brillo máximo de 9474 cd m⁻². Este trabajo proporciona una solución de patrón que combina alta resolución, proceso sencillo y excelente calidad de película para la fabricación de dispositivos microdisplay de perovskita de alto rendimiento.

关键词

perovskita; crecimiento in situ; alta resolución; patrón; control de cristalización

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