Los detectores fotoeléctricos de banda ancha tienen un valor importante en los campos de imagen, comunicación y análisis espectral. En este trabajo, se preparó un monocristal de Sb₂S₃ a escala micrométrica con alta calidad cristalina mediante deposición química de vapor. La densidad de defectos fue de solo 4.8×10¹⁰ cm⁻³. Se estableció un modelo de heterounión Sb₂S₃/GaAs utilizando el software SCAPS-1D, y los resultados de la simulación muestran que reducir la densidad de defectos de Sb₂S₃ ayuda a mejorar la corriente de salida y la respuesta espectral de la heterounión, especialmente en las bandas ultravioleta y visible. Basado en esto, se construyó un fotodetector autotransportado basado en la heterounión de monocristal Sb₂S₃/n-GaAs, el dispositivo mostró un excelente rendimiento de respuesta fotoeléctrica en un amplio rango espectral de 300 a 1000 nm. A una densidad de potencia óptica de 0.4 mW·cm⁻², la responsividad máxima a 830 nm alcanzó 200 mA·W⁻¹, la detectividad superó los 3×10¹⁰ Jones, el ancho de banda de -3 dB fue superior a 1 kHz, y los tiempos de respuesta de subida/bajada fueron 134 μs y 223 μs respectivamente. Este estudio proporciona una vía factible para el diseño y fabricación de detectores fotoeléctricos de alto rendimiento, banda ancha y bajo consumo, mostrando un buen potencial de aplicación en el campo de la integración optoelectrónica y sensores.

Monocristal Sb₂S₃; detector fotoeléctrico; SCAPS-1D; banda ancha