Los láseres de semiconductores de emisión lateral de alta luminosidad tienen alta eficiencia electroóptica, alta calidad del haz, alta potencia pico, y se han aplicado ampliamente en procesamiento de materiales, medicina y lidar. Sin embargo, lograr un láser de emisión lateral que combine alta potencia de salida y alta calidad del haz sigue siendo un desafío, y este punto difícil se ha convertido en el foco de la investigación de los láseres de semiconductores de emisión lateral de alta luminosidad. Primero, se resumen los avances recientes a nivel nacional e internacional en láseres de emisión lateral de alta potencia y alta calidad del haz, revisando el control del modo lateral del láser y los métodos de optimización del ángulo de divergencia del campo lejano vertical. Segundo, se presenta la tecnología de conducción por pulsos, que ayuda a mejorar la acumulación de calor en la zona activa y a obtener alta potencia pico, logrando así una salida de alta luminosidad. Los láseres de unión túnel de múltiples zonas activas pueden alcanzar una luminosidad de 300 MW·cm^-2·sr^-1 a una potencia pico de 100 W, y el láser de emisión lateral de área ancha vertical de alta luminosidad (HiBBEE) puede reducir el ángulo de divergencia del campo lejano vertical, mejorando aún más la eficiencia del acoplamiento del sistema óptico y reduciendo el costo de las lentes de colimación y enfoque. Finalmente, combinando las tecnologías de conducción y el estado actual y futuro del desarrollo de láseres de alta luminosidad, se presenta una perspectiva para la realización de láseres de semiconductores pulsados de alto rendimiento y alta luminosidad.

láser de semiconductores; alta potencia; alta calidad del haz; alta luminosidad; control pulsado