Los láseres de semiconductores de alta potencia, como fuente principal de bombeo para sistemas láser sólidos y de fibra óptica, tienen un valor de aplicación importante en los campos de procesamiento industrial y defensa. Este artículo informa sobre un láser de bombeo diseñado para satisfacer las necesidades de sistemas láser de fibra en el infrarrojo medio. Como fuente de bombeo para láseres de fibra, el dispositivo requiere alta potencia de salida, alta eficiencia y debe tener una buena vida útil y fiabilidad. Este artículo utiliza pozos cuánticos InGaAs/GaAsP de banda alta para mejorar la capacidad de confinamiento de portadores, diseña una estructura de guía de onda asimétrica y adopta una tecnología de dopaje gradual para reducir la pérdida de absorción de portadores y la resistencia en serie. El láser de canal único con un ancho de cresta de 200 μm alcanzó una potencia de salida de 16.12 W y una eficiencia máxima de conversión del 53 %; el módulo láser fabricado con 10 canales individuales acoplados a fibra de 105 μm y NA 0.18 alcanzó una potencia máxima de salida de 113 W. Los resultados de las pruebas muestran que el láser tiene una alta estabilidad de potencia y temperatura, mejorando la fiabilidad del láser.

láser de semiconductores;alta potencia;eficiencia de conversión;fiabilidad