Los láseres semiconductores de alta potencia, como fuente de bombeo central para sistemas de láser de estado sólido y fibra óptica, tienen un importante valor aplicado en los campos de procesamiento industrial y defensa nacional. En este documento se reporta un láser de bombeo diseñado para satisfacer los requisitos de sistemas de láser de fibra en el infrarrojo medio. Como fuente de bombeo de láser de fibra, se requiere que el dispositivo tenga alta potencia de salida, alta eficiencia y que pueda tener una buena vida útil y fiabilidad. En este estudio se emplearon materiales de pozos cuánticos InGaAs/GaAsP de alto orden de banda para mejorar la capacidad de confinamiento de portadores, se diseñó una estructura de guía de onda asimétrica y se usó una técnica de dopaje gradual para reducir las pérdidas por absorción de portadores y la resistencia en serie. El láser de un solo canal con un ancho de cresta de 200 µm fabricado alcanzó una potencia de salida de 16.12 W y una eficiencia máxima de conversión del 53%. Se acopló un módulo láser fabricado con 10 canales simple a una fibra de 105 µm y 0.18 NA, con una potencia máxima de salida de 113 W. Los resultados de las pruebas demostraron que el láser tiene una alta estabilidad de potencia y temperatura, aumentando la fiabilidad del láser.

láser de semiconductor;alta potencia;eficiencia de conversión;fiabilidad