Los diodos emisores de luz de puntos cuánticos (Quantum dot light-emitting diodes, QLEDs), debido a su alta pureza de color, bajo consumo de energía y buena procesabilidad en solución, serán fuertes competidores para la tecnología de pantallas de próxima generación. Sin embargo, en el modo de conducción de corriente continua tradicional, los dispositivos QLED enfrentan problemas de inyección no equilibrada de portadores, lo que conduce a una recombinación no radiativa severa, disminución de la eficiencia y estabilidad insuficiente, limitando su aplicación en el campo de las pantallas. Por lo tanto, este artículo propone una estructura de dispositivo QLED de tres terminales basada en el control del campo eléctrico alterno, que optimiza dinámicamente el equilibrio de portadores mediante la modulación del campo eléctrico, mejorando significativamente el rendimiento del dispositivo. En comparación con los dispositivos QLED tradicionales, la eficiencia cuántica externa de los QLED de tres terminales aumentó del 7.5% al 18.3%, y el brillo aumentó de 6,842 cd/m² a 10,374 cd/m², con incrementos respectivos del 143.7% y 51.6%. Los resultados experimentales demuestran que los dispositivos QLED de tres terminales utilizan el control sinérgico de la forma de onda, el voltaje y la frecuencia del campo alterno para controlar con precisión la movilidad electrónica, suprimiendo eficazmente la recombinación no radiativa. Este enfoque no solo resuelve el problema técnico del desajuste de la movilidad electrón-hueco en los QLED tradicionales, sino que también proporciona una nueva vía técnica para el diseño de estructuras de dispositivos QLED de alto rendimiento, y se espera que impulse la aplicación amplia de los QLED en el campo de las pantallas.

Diodo emisor de luz de puntos cuánticos;Dispositivo de tres terminales;Control de campo eléctrico alterno;Inyección de portadores;Eficiencia cuántica externa